-
1,0 да 2,0 ГГц кааксіяльны ізалятар TG6466KN N Тып / TG6466KS Тып SMA
Order Examples Connector Type SMA Type Connector Options N Type Connector Options Port 1 Port 2 Abbreviation Port 1 Port 2 Abbreviation SMA-K SMA-K S NK NK N SMA-K SMA-J SKJ NJ NK NJK SMA-J SMA-K SJK NK NJ NKJ SMA-J SMA-J SJ NJ NJ NJ SMA Type Connector Options N Type Connector Options Port 1 Port 2 Abbreviation Port 1 Port 2 Abbreviation Sma-k sma-k s nk nk n sma-k ... -
TG5656AS 0,8 да 2,0 ГГц кааксіяльны ізалятар
Прыклады замовы Тып раздыма Тып тыпу тыпу раздыма SMA Раз'ём N Тып раз'ём Параметры порта 1 Порт 2 Абрэвіятура Порт 1 Порт 2 Абрэвіятура 2 SMA-F SMA-F S NF NF N SMA-F SMA-M SKJ NF NM NKJ SMA-M SMA-F SJK NM NF NJK SMA-M SMA-M SMA SJ NM NM NM NJ Асноўныя спецыфікацыі Спецыфікацыі мадэлі (x = 1: → COCKIUTION) (x = 2: ← ana Antic) ANTIC). FREQ. Дыяпазон GHZ IL. DB (MAX) Ізаляцыя DB (MIN) VSWR Forward Power CW R ... -
WG3538X 300 да 1850 МГц у ізалятары
Прыклады замовы Асноўныя характарыстыкі Тэхнічныя характарыстыкі Мадэль № (x = 1: → па гадзіннікавай стрэлцы) (x = 2: ← Антикгорной стрэлкі) Freq. Дыяпазон MHZ IL.DB (MAX) Ізаляцыя DB (MIN) VSWR Forward Power CW зваротная магутнасць W WG3538X-X/300-320MHZ 300-320 0,60 20,0 1,25 200 20 WG3538X-X/300-350MHZ 300-350 0.80 18.0,35 135 200 20 WG3538X-X/309MZ39MZ 309-339 0,50 20,0 1,25 200 20 WG3538X-X/310-340MHZ 310-340 0,50 20,0 1,25 200 20 WG3538X-X/320-340MHZ ... -
RFTXX-05RJ1022 вядучы рэзістар RF Рэзістар
Мадэль RFTXX-05RJ1022 Power 5 W супраціў xx ω # (наладжваецца) Дапушчальнасць да супраціву ± 5% ёмістасць / каэфіцыент тэмпературы <150ppm / ℃ субстрат Beo Lead 99,99% чысты срэбны рэзістыўны элемент. Тоўсты плёнкавы тэмпература. Метады дапамогі магутнасцю дэ-рэйтынгавага профілю P/N Абазначэнне Выкарыстоўвайце ўвагу ■ AF ... -
WG4149A 300 да 1000 МГц у ізалятары
Прыклады замовы Асноўныя характарыстыкі Тэхнічныя характарыстыкі Мадэль № (x = 1: → па гадзіннікавай стрэлцы) (x = 2: ← Антикгорной стрэлкі) Freq. Дыяпазон MHZ IL. DB (MAX) Ізаляцыя DB (MIN) VSWR Forward Power CW зваротная сіла W Заўвага WG4149A-X/300-475MHZ 300-475 0,80 18,0 1,35 100 20+25 ± 5 ℃ 1.00 16.0 1,40 0 ~+60 ℃ 1,20 14,0 1,60 -40 ~+85 ℃ WG4149A-X/400-400MH 400-600 0,60 20,0 1,25 100 20 +25 ± 5 ℃ 0,70 18,0 1,30 -10 ~ +60 ℃ WG4149A-X/600-1000M ... -
RFTXX-10RM0404 вядучы рэзістар RF Рэзістар
Мадэль RFTXX-10RM0404 Power 10 W Супраціў xx ω ~ (10-3000ω наладжваецца) Дапушчальнасць да супраціву ± 5% ёмістасць 1,2 PF@100 Ом Каэфіцыент тэмпературы <150ppm/℃ субстрат Beo beo al2o3 LEAD LEAD 99,99% чысты чысты срэбны рэзістыўны элемент, які працуе тэмпература-55 да +150 ° C (гл. De Power) у азелянесе (гл. De-Rate). Працягласць свінцовага провада можа адпавядаць патрабаванням кліента, прапанаваныя метады зняцця стрэсу. -
WG4545X 250 да 1400 МГц у ізалятары
Прыклады замовы Асноўныя характарыстыкі Тэхнічныя характарыстыкі Мадэль № (x = 1: → па гадзіннікавай стрэлцы) (x = 2: ← Антикгорной стрэлкі) Freq. Дыяпазон MHZ IL. DB (MAX) Ізаляцыя DB (MIN) VSWR Forward Power CW зваротная магутнасць W WG4545X-X/250-300MHZ 250-300 0,60 20,0 1,25 100 20 WG4545X-X/280-310MHZ 280-310 0.30 23,0 1,20 20 WG4545X-X-X/285-295MHZ 280.0. 1,20 100 20 WG4545X-X/289-359MHZ 289-359 0,50 19,0 1,25 100 20 WG4545X-X/290-310MHZ 290-310 ... -
Rftxxn-10rm2550 вядучы рэзістар RF рэзістар
Мадэль RFTXXN-10RM2550 Power 10 W Супраціў XX ω ~ (10-3000ω наладжваецца) Дапушчальнасць да супраціву ± 5% ёмістасць 2,4 PF@100 Ом Каэфіцыент тэмпературы <150ppm/℃ субстрат ALN AL2O3 LEAD LEAD 99,99% чыста чысты срэбны рэзістыўны элемент, які працуе тэмпература-55 да +150 ° C (гл. De Power) у азелянесе (гл. De-Rate). Працягласць свінцовага провада можа адпавядаць патрабаванням кліента, прапанаваныя метады зняцця стрэсу. -
WG5050X ад 160 да 330 МГц у ізалятары
Прыклады замовы Асноўныя характарыстыкі Тэхнічныя характарыстыкі Мадэль № (x = 1: → па гадзіннікавай стрэлцы) (x = 2: ← Антикгорной стрэлкі) Freq. Дыяпазон MHZ IL. dB (max) Isolation dB (min) VSWR Forward Power CW Reverse Power W WG5050X-X/160-166MHz 160-166 0.70 20.0 1.25 300 20/100/150 WG5050X-X/160-170MHz 160-170 0.90 18.0 1.30 300 20/100/150 WG5050X-X/180-184MHz 180-184 0,50 20,0 1,20 300 20/100/150 WG5050X-X/192-232MHZ 192-232 0,60 18,0 1,30 300 20 ... -
RFTXX-05CR2550B чып-рэзістар RF Рэзістар
Мадэль RFTXX-05CR2550B Power 5 W Супраціў XX ω (10 ~ 3000ω наладжваецца) Дапушчальнасць да супраціву ± 5% Каэфіцыент тэмпературы <150PPM/℃ субстрат BEO Рэзістыўная элемент Элемент Тоўстая плёнка Аперацыйная тэмпература ад -55 да +150 ° C (гл. DE Power De-Rating) Прапанаваныя працэдуры мацавання магутнасці сілавое рэйтынгавы рэфлекторый P/N Дызайн. Перавышае 6 месяцаў, увага будзе з увазанасцю зваркі перад ужываннем. Рэкамендуецца ... -
WG6466E ад 100 да 200 МГц у ізалятары
Прыклады замовы Асноўныя характарыстыкі Тэхнічныя характарыстыкі Мадэль № (x = 1: → па гадзіннікавай стрэлцы) (x = 2: ← Антикгорной стрэлкі) Freq. Дыяпазон MHZ IL. dB (max) Isolation dB (min) VSWR Forward Power CW Reverse Power W Notes WG6466E-X/100-105MHz 100-105 0.8 18.0 1.30 300 20/100 WG6466E-X/105-115MHz 105-115 0.8 18.0 1.30 300 20/100 WG6466E-X/130-150MHz 130-150 0.6 20,0 1,25 300 20/100 WG6466E-X/140-160MHz 140-160 0,6 20,0 1,25 300 20/100 ... -
RFTXX-20CR2550TA чып-рэзістар RF Рэзістар
Model RFTXX-20CR2550TA Power 20 W Resistance XX Ω ~(10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts Перавышае 6 месяцаў, увага будзе з увазанасцю зваркі перад ужываннем. Рэкамендуецца ...
