прадукты

прадукты

Фланцавае завяршэнне

У канцы ланцуга ўсталёўваюцца фланцавыя закрыцці, якія паглынаюць сігналы, якія перадаюцца ў ланцугу, і прадухіляюць адлюстраванне сігналу, тым самым уплываючы на ​​якасць перадачы ланцуговай сістэмы.

Фланцавая клема збіраецца шляхам зваркі адзінкавага клемнога рэзістара з фланцамі і накладкамі.Памер фланца звычайна распрацоўваецца на аснове спалучэння ўсталявальных адтулін і памераў супраціву клемм.Налада таксама можа быць зроблена ў адпаведнасці з патрабаваннямі кліента да выкарыстання.


  • :
  • Дэталь прадукту

    Тэгі прадукту

    Фланцавае завяршэнне

    Фланцавае завяршэнне
    Асноўныя тэхнічныя характарыстыкі:

    Намінальная магутнасць: 5-1500 Вт;
    Матэрыялы падкладкі: BeO、AlN、Al2O3
    Намінальнае значэнне супраціву: 50Ω
    Памяркоўнасць супраціву: ± 5%, ± 2%, ± 1%
    Тэмпературны каэфіцыент: <150ppm/℃
    Працоўная тэмпература: -55~+150℃
    Пакрыццё фланца: дадатковае пакрыццё нікелем або срэбрам
    Стандарт ROHS: Сумяшчальны з
    Прыдатны стандарт: Q/RFTYTR001-2022
    Даўжыня шнура: L, як указана ў тэхнічным пашпарце
    (можна наладзіць у адпаведнасці з патрабаваннямі заказчыка)

    zxczxc1
    Магутнасць
    (W)
    Частата
    Дыяпазон
    Памер (адзінка: мм) СубстратМатэрыял Канфігурацыя Тэхнічны ліст
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  ФІГ.1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  ФІГ.1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7,0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  ФІГ.2   RFT50A-05TM0904(R,L,I)
    10 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ФІГ.2   RFT50-10TM7705((R,L))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  ФІГ.1   RFT50A-10TM1304
    AlN ФІГ.1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  ФІГ.1   RFT50A-10TM1104
    AlN ФІГ.1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7,0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 ФІГ.2   RFT50A-10TM0904(R,L,I)
      AlN ФІГ.2   RFT50N-10TJ0904(R,L,I)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ФІГ.1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO ФІГ.1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7,0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ФІГ.2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ФІГ.2   RFT50-10TM7705I
    20 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ФІГ.2   RFT50-20TM7705((R,L))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN ФІГ.1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 AlN ФІГ.1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7,0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN ФІГ.2   RFT50N-20TJ0904(R,L,I)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ФІГ.1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO ФІГ.1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7,0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ФІГ.2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ФІГ.2   RFT50-10TM7705I
    30 Вт 6 ГГц 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN ФІГ.1   RFT50N-30TJ1606
    BeO ФІГ.1   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФІГ.1   RFT50N-30TJ2006
    BeO ФІГ.1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10,0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФІГ.2   RFT50N-30TJ1306(R,L,I)
    3.0 BeO ФІГ.2   RFT50-30TM1306(R,L,I)
    60 Вт 6 ГГц 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN ФІГ.1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO ФІГ.1   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФІГ.1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO ФІГ.1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10,0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФІГ.2   RFT50N-60TJ1306(R,L,I)
    3.2 BeO ФІГ.2   RFT50-60TM1306(R,L,I)
    法兰式终端FIG3,4,5
    Магутнасць
    (W)
    Частата
    Дыяпазон
    Памеры (адзінка: мм) Субстрат
    Матэрыял
    Канфігурацыя Тэхнічны ліст (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 Вт 3 ГГц 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO ФІГ.1   RFT50-100TM2595
    4 ГГц 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 BeO ФІГ.2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 BeO ФІГ.1   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 BeO ФІГ.1   RFT50-100TM2506
    16.0 10,0 13.0 10,0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ4   RFT50-100TJ1610(R,L,I)
    23.0 10,0 17.0 10,0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.1   RFT50-100TJ2310
    24.8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФІГ.1   RFT50-100TJ2510
    5 ГГц 13.0 6.35 10,0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 BeO ФІГ.2   RFT50-100TJ1363(R,L,I)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 BeO ФІГ.1   RFT50-100TM1663
    6 ГГц 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 AlN ФІГ.1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФІГ.1   RFT50N-100TJ2006B
    8 ГГц 20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФІГ.1   RFT50N-100TJ2006C
    150 Вт 3 ГГц 16.0 10,0 13.0 10,0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ4   RFT50-150TM1610(R,L,I)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN ФІГ.1   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO ФІГ.1   RFT50-150TM2595
    24.8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФІГ.1   RFT50-150TM2510
    4 ГГц 16.0 10,0 13.0 10,0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ4   RFT50-150TJ1610(R,L,I)
    23.0 10,0 17.0 10,0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФІГ.1   RFT50-150TJ2510
    200 Вт 3 ГГц 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO ФІГ.1   RFT50-200TM2595
    24.8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФІГ.1   RFT50-200TM2510
    4 ГГц 16.0 10,0 13.0 10,0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.2   RFT50-200TM1610(R,L,I)
    23.0 10,0 17.0 10,0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФІГ.1   RFT50-150TJ2510
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ФІГ.1   RFT50-200TM3213B
    250 Вт 3 ГГц 23.0 10,0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.3   RFT50-250TM2310
    24.8 10,0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФІГ.1   RFT50-250TM2510
    27.0 10,0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.1   RFT50-250TM2710
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ФІГ.1   RFT50-250TM3213B
    300 Вт 3 ГГц 23.0 10,0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.1   RFT50-300TM2310
    24.8 10,0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФІГ.1   RFT50-300TM2510
    27.0 10,0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.1   RFT50-300TM2710
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ФІГ.1   RFT50-300TM3213B
    400 Вт 2 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ФІГ.1   RFT50-400TM3213
    500 Вт 2 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ФІГ.1   RFT50-500TM3213
    800 Вт 1 ГГц 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7,0 12.7 4.2 BeO ФІГ.5   RFT50-800TM4826
    1000 Вт 1 ГГц 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7,0 12.7 4.2 BeO ФІГ.5   RFT50-1000TM4826
    1500 Вт 0,8 ГГц 50,0 78,0 40,0 26.0 5.0 8.2 9.0 6.0 7,0 15.0 4.2 BeO ФІГ.5   RFT50-1500TM5078

    Агляд

    Фланец, як правіла, выраблены з апрацоўкі медным нікелем або срэбрам.Устойлівая падкладка, як правіла, зроблена з аксіду берылію, нітрыду алюмінія і друку з аксіду алюмінія ў адпаведнасці з патрабаваннямі да магутнасці і ўмовамі рассейвання цяпла.

    Фланцавы замыкальнік, як і вывадны, у асноўным выкарыстоўваецца для паглынання хваль сігналу, якія перадаюцца да канца ланцуга, прадухілення ўздзеяння адлюстравання сігналу на ланцуг і забеспячэння якасці перадачы ланцуговай сістэмы.

    Фланцавая канчатка мае характарыстыку лёгкай ўстаноўкі ў параўнанні з патч-рэзістарамі дзякуючы свайму фланцу і мантажным адтулінам на фланцы.


  • Папярэдняя:
  • далей:

  • Напішыце тут сваё паведамленне і адпраўце яго нам