прадукты

Прадукты

Фланцавае завяршэнне

Фланцавыя заціскі ўсталёўваюцца ў канцы ланцуга, якія паглынаюць сігналы, што перадаюцца па ланцугу, і прадухіляюць адлюстраванне сігналаў, тым самым уплываючы на ​​якасць перадачы па схеме. Фланцавая заціскная прылада збіраецца шляхам зваркі аднавыводнага канцавога рэзістара з фланцамі і накладкамі. Памер фланца звычайна распрацоўваецца на аснове камбінацыі мантажных адтулін і памераў супраціўлення заціску. Таксама магчымая індывідуальная налада ў адпаведнасці з патрабаваннямі заказчыка.


  • Намінальная магутнасць:5-1500 Вт
  • Матэрыялы падкладкі:BeO, AlN, Al₂O₃
  • Намінальнае значэнне супраціўлення:50 Ом
  • Талерантнасць да супраціву:±5%, ±2%, ±1%
  • Тэмпературны каэфіцыент:<150 праміле/℃
  • Працоўная тэмпература:-55~+150℃
  • Пакрыццё фланца:па жаданні нікелевае або сярэбранае пакрыццё
  • Стандарт ROHS:Адпавядае
  • Даўжыня дроту:L, як паказана ў тэхнічным пашпарце
  • Індывідуальны дызайн даступны па запыце.:
  • Падрабязнасці прадукту

    Тэгі прадукту

    Фланцавае завяршэнне

    Фланцавае завяршэнне
    Асноўныя тэхнічныя характарыстыкі:

    Намінальная магутнасць: 5-1500 Вт
    Матэрыялы падкладкі: BeO, AlN, Al2O3
    Намінальнае значэнне супраціўлення: 50 Ом
    Дапушчальнае супраціўленне: ±5%, ±2%, ±1%
    Тэмпературны каэфіцыент: <150ppm/℃
    Працоўная тэмпература: -55~+150℃
    Пакрыццё фланца: па жаданні нікелевае або сярэбранае пакрыццё
    Стандарт ROHS: адпавядае
    Дзеючы стандарт: Q/RFTYTR001-2022
    Даўжыня правадоў: L, як паказана ў тэхнічным пашпарце
    (можна наладзіць у адпаведнасці з патрабаваннямі кліента)

    zxczxc1
    Магутнасць
    (З)
    Частата
    Дыяпазон
    Памеры (адзінка вымярэння: мм) СубстратМатэрыял Канфігурацыя Інфармацыйны ліст
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  РЫС.1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  РЫС.1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  РЫС. 2   RFT50A-05TM0904(П,Л,І)
    10 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 БеО РЫС. 2   RFT50-10TM7750((правы, левы))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  РЫС.1   RFT50A-10TM1304
    AlN РЫС.1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  РЫС.1   RFT50A-10TM1104
    AlN РЫС.1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 РЫС. 2   RFT50A-10TM0904(П,Л,І)
      AlN РЫС. 2   RFT50N-10TJ0904(П,Л,І)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 БеО РЫС.1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 БеО РЫС.1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 БеО РЫС. 2   RFT50-10TM0904(П,Л,І)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 БеО РЫС. 2   RFT50-10TM7750I
    20 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 БеО РЫС. 2   RFT50-20TM7750((правы, левы))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN РЫС.1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 AlN РЫС.1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN РЫС. 2   RFT50N-20TJ0904(П,Л,І)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 БеО РЫС.1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 БеО РЫС.1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 БеО РЫС. 2   RFT50-10TM0904(П,Л,І)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 БеО РЫС. 2   RFT50-10TM7750I
    30 Вт 6 ГГц 16,0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN РЫС.1   RFT50N-30TJ1606
    БеО РЫС.1   RFT50-30TM1606
    20,0 6.0 14,0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN РЫС.1   RFT50N-30TJ2006
    БеО РЫС.1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN РЫС. 2   RFT50N-30TJ1306(П,Л,І)
    3.0 БеО РЫС. 2   RFT50-30TM1306(П,Л,І)
    60 Вт 6 ГГц 16,0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN РЫС.1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 БеО РЫС.1   RFT50-60TM1606
    20,0 6.0 14,0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN РЫС.1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 БеО РЫС.1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN РЫС. 2   RFT50N-60TJ1306(П,Л,І)
    3.2 БеО РЫС. 2   RFT50-60TM1306(R,L,I)
    法兰式终端FIG3,4,5
    Магутнасць
    (З)
    Частата
    Дыяпазон
    Памеры (адзінка вымярэння: мм) Субстрат
    Матэрыял
    Канфігурацыя Тэхнічны ліст (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 Вт 3 ГГц 24,8 9,5 18,4 9,5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 БеО РЫС.1   RFT50-100TM2595
    4 ГГц 16,0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2,5 1.0 6.0 / 2.1 БеО РЫС. 2   RFT50N-100TM1606
    20,0 6.0 14,0 9.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 БеО РЫС.1   RFT50N-100TJ2006
    24,8 6.0 18,4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 БеО РЫС.1   RFT50-100TM2506
    16,0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 БеО РЫС.4   RFT50-100TJ1610(П,Л,І)
    23,0 10.0 17,0 10.0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 БеО РЫС.1   RFT50-100TJ2310
    24,8 10.0 18,4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО РЫС.1   RFT50-100TJ2510
    5 ГГц 13.0 6.35 10.0 6.35 1,5 2,5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 БеО РЫС. 2   RFT50-100TJ1363(П,Л,І)
    16,6 6.35 12.0 6.35 1,5 2,5 3.5 1.0 5.0 / 2,5 БеО РЫС.1   RFT50-100TM1663
    6 ГГц 16,0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2,5 1.0 5.0 / 2.1 AlN РЫС.1   RFT50N-100TJ1606B
    20,0 6.0 14,0 8.9 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN РЫС.1   RFT50N-100TJ2006B
    8 ГГц 20,0 6.0 14,0 8.9 1,5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 AlN РЫС.1   RFT50N-100TJ2006C
    150 Вт 3 ГГц 16,0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 БеО РЫС.4   RFT50-150TM1610(R,L,I)
    22.0 9,5 14,0 6.35 1,5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 АІН РЫС.1   RFT50N-150TJ2295
    24,8 9,5 18,4 9,5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 БеО РЫС.1   RFT50-150TM2595
    24,8 10.0 18,4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО РЫС.1   RFT50-150TM2510
    4 ГГц 16,0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 БеО РЫС.4   RFT50-150TJ1610(П,Л,І)
    23,0 10.0 17,0 10.0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 БеО РЫС. 3   RFT50-150TJ2310
    24,8 10.0 18,4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО РЫС.1   RFT50-150TJ2510
    200 Вт 3 ГГц 24,8 9,5 18,4 9,5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 БеО РЫС.1   RFT50-200TM2595
    24,8 10.0 18,4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО РЫС.1   RFT50-200TM2510
    4 ГГц 16,0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 БеО РЫС. 2   RFT50-200TM1610(R,L,I)
    23,0 10.0 17,0 10.0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 БеО РЫС. 3   RFT50-200TJ2310
    24,8 10.0 18,4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО РЫС.1   RFT50-150TJ2510
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО РЫС.1   RFT50-200TM3213B
    250 Вт 3 ГГц 23,0 10.0 17,0 12.0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 БеО РЫС. 3   RFT50-250TM2310
    24,8 10.0 18,4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО РЫС.1   RFT50-250TM2510
    27,0 10.0 21.0 12.0 2,5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 БеО РЫС.1   RFT50-250TM2710
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО РЫС.1   RFT50-250TM3213B
    300 Вт 3 ГГц 23,0 10.0 17,0 12.0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 БеО РЫС.1   RFT50-300TM2310
    24,8 10.0 18,4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО РЫС.1   RFT50-300TM2510
    27,0 10.0 21.0 12.0 2,5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 БеО РЫС.1   RFT50-300TM2710
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО РЫС.1   RFT50-300TM3213B
    400 Вт 2 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО РЫС.1   RFT50-400TM3213
    500 Вт 2 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО РЫС.1   RFT50-500TM3213
    800 Вт 1 ГГц 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 БеО РЫС.5   RFT50-800TM4826
    1000 Вт 1 ГГц 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 БеО РЫС.5   RFT50-1000TM4826
    1500 Вт 0,8 ГГц 50,0 78,0 40,0 26,0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15,0 4.2 БеО РЫС.5   RFT50-1500TM5078

    Агляд

    Фланец звычайна выраблены з меднага пакрыцця, нікелевага або сярэбранага пакрыцця. Падкладка рэзістара звычайна выраблена з аксіду берылію, нітрыду алюмінію і аксіду алюмінію ў залежнасці ад патрабаванняў да магутнасці і ўмоў цеплааддачы.

    Фланцавая заглушка, як і вывадная заглушка, у асноўным выкарыстоўваецца для паглынання сігнальных хваль, якія перадаюцца да канца ланцуга, прадухілення адлюстравання сігналу ад ланцуга і забеспячэння якасці перадачы па схеме.

    Фланцавая заглушка мае характарыстыку лёгкай ўстаноўкі ў параўнанні з патч-рэзістарамі дзякуючы фланцу і мантажным адтулінам на фланцы.


  • Папярэдняе:
  • Далей: